唯一能源互联网和增量配电双示范基地获批：蒙西高新技术园区

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[22]图7. 先进的外延lift-off和转移技术的异质集成器件6.展望在垂直堆叠多功能集成电路的晶圆片上生长器件品质的外延层，互联将会大幅减少集成电路的足迹。尽管有了这些进展，增量但与同型外延层相比，实现大晶格失配的异质外延层的良好晶体质量仍然具有挑战性，但同型外延往往需要非常昂贵的衬底。

配电批蒙异质外延的主要挑战来自于外延薄膜的应变。例如，双示术园低温的grownbuffer抑制了岛状的Volmer-Weber生长，同时在生长的早期阶段促进了弛豫和逐层生长，这有利于在高温下高质量的目标外延层的后续生长。然而，范基由于两种材料之间的大晶格和热膨胀系数不匹配，导致硅外延异质结构产生高密度缺陷，限制了这种方法的发展。

地获这限制了这种电子/光子材料在主要商业市场上的广泛应用。[3] 这种模式已经被用在TiN，西高新技AlN在Si(100)上生长，西高新技ZnO在αAl2O3 (0001)上生长，它们之间都有15%到25%的晶格失配，证明了III-V和III-N材料、氧化物和硅通过外延生长在单个晶圆片上的集成的可能性。

因此，唯网和可能不需要晶圆翻新过程，例如化学抛光和机械抛光。

到目前为止，互联研究人员已经在工业规模上开发了几种lift-off技术。行稳致远是欧若德始终秉承的信念，增量亦是企业前进发展的底色。

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